数据列表 CSD18501Q5A;
标准包装 2,500
包装 标准卷带
零件状态 在售
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 NexFET??
规格 FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 22A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 3.2 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 50nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3840pF @ 20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 3.1W（Ta），150W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-VSONP（5x6）
封装/外壳 8-PowerTDFN