介
电容器：
瓷介电容可分为低压低功率和高压高功率，在低压低功率中又可分为i型（cc型）和ii型（ct型）。
i型（cc型）特点是体积小， 损耗低，电容对频率，温度稳定性都较高，常用于高频电路。
ii型（ct型）特点是体积小，损耗大，电容对温度频率，稳定性都较差，常用于低频电路。
cc1型圆片高频瓷介电容
适用于谐振回路及其他电路做温度补偿，耦合，隔直使用。损耗：《0.025绝缘
电阻：10000mohm 试验电压：200v
允许偏差：5p(+-0.5p) 6-10p(+-1p) 10p以上（j,k,m）温度系数：-150--- -1000ppm/c环境温度：-25—85c 相对湿度：+40c时达96%
ct1型圆形瓷片低频电容：
环境温度：-25—85c 相对湿度：+40c时达96%工作电压50v电容范围和允差：101—472 （+-10%） 472-403（+80-- -20%）
cc01圆形瓷片电容：
环境温度：-25—85c 相对湿度：+40c时达96% 大气压力750+-30mmhg允许偏差：5p(+-0.5p) 6-10p(+-1p) 10p以上（j,k,m）
温度系数：1—4p +120(+-60)ppm 4—56p –47(+-60)ppm
56—180p –750(+-250)ppm
180—390p –1300(+-250)ppm
430—820p –3300(+-500)ppm
ct01圆形瓷片电容：
环境温度：-25—85c 相对湿度：+40c时达96% 大气压力750+-30mmhg损耗《0.05绝缘电阻：1000mohm
允差：+80 -20%容量：1000-47000p
工作电压：63v 试验电压：200v cc10 超高频瓷介电容
可用于《500mhz下，环境温度：-55—85c 相对湿度：+40c时达98% 压力33mmhg 震动强度：加速度10g 冲击：加速度25g 离心：加速度15g
允差：k容量：1-47p工作电压：500v
cc11,ct11园片无引线瓷片电容
该电容特为高频头设计，频率特性好。
cc11直流电压：250v标称容量：3—39p损耗：《0.0015 绝缘》10000mohm
ct11直流电压：160v标称容量：240—1500 绝缘》2500mohm
ct82,cc82高压高功率瓷片电容：
环境温度：-25—85c 相对湿度：+40c时达98%大气 压力40000pa 震动：加速度15g 冲击：加速度15g额定电压：1—4kv 试验电压：2.5—8kv允差：k,m
独石瓷介电容器：
cc4d独石瓷介电容器
环境温度：-55—85c 相对湿度：+40c时达98% 大气压力666.6pa损耗《15*10(-4)容量：100-100000p工作电压：40v 试验电压：120v
ct4d独石瓷介电容器
环境温度：-55—85c 相对湿度：+40c时达98% 大气压力1000pa损耗《0.035容量：0.033-2.2uf工作电压：40v-100v 试验电压：3uw允差：+80-20%
cc2,ct2管形瓷介电容器
与片形瓷介电容相比，机械强度高，用作旁路时内电极屏蔽性能好，用在高频电阻杂散耦合好，缺点是固有谐振频率低，制造工艺复杂，产量低。
ct2 损耗《0.04绝缘电阻<1000mohm 试验电压：480v
使用条件：-55—85c相对湿度：40c时达98% cc3,cctd型叠片瓷介电容器cctf型方形叠片瓷片电容器
cc3损耗《0.0015 容量：33-1000p 允差：k,m 工作电压：100v
cctd损耗《0.035 容量：470-33000p 允差：+80-20% 工作电压：250v
cctf损耗《0.04 容量：10000-47000p 允差：+80-20% 工作电压：160v
cc53,cc52,ct53,ct52穿心式瓷介电容
该类电容使用于vhf,uhf调谐器和其他无线电设备中做高低频旁路滤波用。
cc52e-1c 容量：2-33p工作电压：63v 绝缘电阻：10000mohm损耗：《0.0015
cc53-2c 容量：1000-1500p工作电压：160v 绝缘电阻：1000mohm损耗《0.035
ct87鼓形高压低频瓷介电容器,该电容主要使用于电子设备的脉冲电路。cc87-1 容量：470p工作电压：10kv 绝缘电阻：10000mohm
ccg81型板形高功率瓷介电容：使用于大功率高频电子设备中。容量：1000p 工作电压20kv(高频15kv) 额定无功功率：100kva最大电流：25a 最大重量：1.3kg