高频低损耗meb金属化薄膜电容
品牌 |
csd |
型号 |
meb |
介质材料 |
有机薄膜 |
应用范围 |
耦合 |
外形 |
方块状 |
功率特性 |
小功率 |
频率特性 |
中频 |
调节方式 |
固定 |
引线类型 |
同向引出线 |
允许偏差 |
±10(%) |
耐压值 |
1000(v) |
标称容量 |
0. 001μf~10μf(uf) |
损耗 |
≤1.0%(20℃ 1khz) |
额定电压 |
100vdc-250vdc-400vdc-630vdc(v) |
高频低损耗塑胶外壳金属化聚酯膜电容器meb
引用标准:gb7332 (iec60384-2)
气候类别:40/100/21
额定电压:100vdc-250vdc-400vdc-630vdc
容量范围:0. 001μf~10μf
容量偏差:±5%(j);±10%(k)
耐电压:1.6ur(5s)
工作温度:-40℃~+100℃
损耗角正切:≤1.0%(20℃1khz)
绝缘电阻:≥15000mω ;c≤0.33μf, ≥5000mω ;c more than 0.33μf;
(20℃,100v 1min)
特征用途:
1.盒式塑胶外壳封装,单向引出线
2.无感式结构及良好的自愈特性
3.绝缘电阻高,容量稳定性好
4.适用于直流和脉冲电路,广泛用于广播电视新产品,邮电通信设备,数据处理设备及各种电子仪器中。