高频低损耗meb金属化薄膜电容

品牌 csd 型号 meb
介质材料 有机薄膜 应用范围 耦合
外形 方块状 功率特性 小功率
频率特性 中频 调节方式 固定
引线类型 同向引出线 允许偏差 ±10(%)
耐压值 1000(v) 标称容量 0. 001μf~10μf(uf)
损耗 ≤1.0%(20℃ 1khz) 额定电压 100vdc-250vdc-400vdc-630vdc(v)

高频低损耗塑胶外壳金属化聚酯膜电容器meb

引用标准:gb7332 (iec60384-2)

气候类别:40/100/21

额定电压:100vdc-250vdc-400vdc-630vdc

容量范围:0. 001μf~10μf

容量偏差:±5%(j);±10%(k)

耐电压:1.6ur(5s)

工作温度:-40℃~+100

损耗角正切:≤1.0%(20℃1khz)

绝缘电阻≥15000mω ;c≤0.33μf, ≥5000mω ;c more than 0.33μf;

(20℃,100v 1min)

特征用途:

1.盒式塑胶外壳封装,单向引出线

2.无感式结构及良好的自愈特性

3.绝缘电阻高,容量稳定性好

4.适用于直流和脉冲电路,广泛用于广播电视新产品,邮电通信设备,数据处理设备及各种电子仪器中。