高压陶瓷电容，瓷片电容，瓷介电容
| 品牌 |
国产 |
型号 |
全系列 |
| 介质材料 |
陶瓷(瓷介) |
应用范围 |
旁路 |
| 外形 |
圆片形 |
功率特性 |
大功率 |
| 频率特性 |
高频 |
调节方式 |
固定 |
| 引线类型 |
径向引出线 |
允许偏差 |
±20（%） |
| 耐压值 |
50（v） |
标称容量 |
0.5p-0.22uf（uf） |
| 损耗 |
≤5% |
额定电压 |
50（v） |
| 额定电流 |
50m（ma） |
| |
我司的陶瓷电容器,依据瓷介电容器的特点,主要有三大类型.
1. 温度补偿型: 温度补偿型圆片瓷介电容器主要是由氧化钛组成,特点是具有较低的介电常数,损耗低,高稳定性,电容量随温度改变呈线性变化,适用于谐振回路和需要补偿温度效应的高稳定性的电路中.
2. 高电介质常数型: 高电介质常数型圆片瓷介电容器主要是以钛酸负钡为苦基而制成,其特点是介电常数高,容量大,损耗低,体积小,适用于旁路、耦合、隔直流和滤波等电路中.
3. 半导体型: 半导体型圆片瓷介电容器的陶瓷芯片属于表面层半导体结构,有表面和晶界层之分,其电容器具有大容量、小体积等特点,适用于滤波、旁路、耦合等电路中.