正品快恢复二极管 rs1m(fr107)

品牌 mic/toshiba 型号 rs1m
应用范围 快速关断(阶跃恢复) 结构 平面型
材料 硅(si) 封装形式 贴片型
封装材料 塑料封装 功率特性 中功率
频率特性 高频 正向工作电流 1(a)
最高反向电压 1200(v)

反向恢复时间tr的定义是:电流通过零点由正向转换到规定低值的时间间隔。它是衡量高频续流及整流器件性能的重要技术指标。反向恢复电流的波形如图1所示。if为正向电流,irm为最大反向恢复电流。irr为反向恢复电流,通常规定irr=0.1irm。当t≤t0时,正向电流i=if。当t>t0时,由于整流器件上的正向电压突然变成反向电压,因此正向电流迅速降低,在t=t1时刻,i=0。然后整流器件上流过反向电流ir,并且ir逐渐增大;在t=t2时刻达到最大反向恢复电流irm值。此后受正向电压的作用,反向电流逐渐减小,并在t=t3时刻达到规定值irr。从t2到t3的反向恢复过程与电容器放电过程有相似之处。

  20a以下的快恢复及超快恢复二极管大多采用to-220封装形式。从内部结构看,可分成单管、对管(亦称双管)两种。对管内部包含两只快恢复二极管,根据两只二极管接法的不同,又有共阴对管、共阳对管之分。图2(a)是c20-04型快恢复二极管(单管)的外形及内部结构。(b)图和(c)图分别是c92-02型(共阴对管)、mur1680a型(共阳对管)超快恢复二极管的外形与构造。它们均采用to-220塑料封装,

  几十安的快恢复二极管一般采用to-3p金属壳封装。更大容量(几百安~几千安)的管子则采用螺栓型或平板型封装形式。

编辑本段检测方法

1)测量反向恢复时间

  测量电路如图3。由直流电流源供规定的if,脉冲发生器经过隔直电容器c加脉冲信号,利用电子示波器观察到的trr值,即是从i=0的时刻到ir=irr时刻所经历的时间。设器件内部的反向恢电荷为qrr,有关系式:

  trr≈2qrr/irm (5.3.1)

  由式(5.3.1)可知,当irm为一定时,反向恢复电荷愈小,反向恢复时间就愈短。

2)常规检测方法

  在业余条件下,利用万用表能检测快恢复、超快恢复二极管的单向导电性,以及内部有无开路、短路故障,并能测出正向导通压降。若配以兆欧表,还能测量反向击穿电压。实例:测量一只c90-02超快恢复二极管,其主要参数为:trr=35ns,id=5a,ifsm=50a,vrm=700v。外型同图(a)。将500型万用表拨至r×1档,读出正向电阻为6.4ω,n′=19.5格;反向电阻则为无穷大。进一步求得vf=0.03v/格×19.5=0.585v。证明管子是好的。

编辑本段注意事项

  1)有些单管,共三个引脚,中间的为空脚,一般在出厂时剪掉,但也有不剪的。

  2)若对管中有一只管子损坏,则可作为单管使用。

  3)测正向导通压降时,必须使用r×1档。若用r×1k档,因测试电流太小,远低于管子的正常工作电流,故测出的vf值将明显偏低。在上面例子中,如果选择r×1k档测量,正向电阻就等于2.2kω,此时n′=9格。由此计算出的vf值仅0.27v,远低于正常值(0.6v)。

编辑本段肖特基二极管和快恢复二极管的区别

  快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管(5us以下),工艺上多采用掺金措施,结构上有采用pn结型结构,有的采用改进的pin结构。其正向压降高于普通二极管(1-2v),反向耐压多在1200v以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长,后者则在100纳秒以下。

  肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管,简称肖特基二极管(schottky barrier diode),具有正向压降低(0.4--0.5v)、反向恢复时间很短(10-40纳秒),而且反向漏电流较大,耐压低,一般低于150v,多用于低电压场合。

  这两种管子通常用于开关电源。

  肖特基二极管和快恢复二极管区别:前者的恢复时间比后者小一百倍左右,前者的反向恢复时间大约为几纳秒~

  前者的优点还有低功耗,大电流,超高速~电气特性当然都是二极管阿~

  快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件.

  肖特基二极管:反向耐压值较低40v-50v,通态压降0.3-0.6v,小于10ns的反向恢复时间。它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外,还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓,多为n型半导体。这种器件是由多数载流子导电的,所以,其反向饱和电流较以少数载流子导电的pn结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微,所以其频率响仅为rc时间常数限制,因而,它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100ghz。并且,mis(金属-绝缘体-半导体)肖特基二极管可以用来太阳能电池或发光二极管

  快恢复二极管:有0.8-1.1v的正向导通压降,35-85ns的反向恢复时间,在导通和截止之间迅速转换,提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件.