tvs二极管/smbj12ca/瞬变抑制二极管

品牌 国产 型号 tvs smbj12ca
应用范围 瞬变抑制 结构 面接触型
材料 硅(si) 封装形式 贴片型
封装材料 塑料封装 功率特性 大功率
频率特性 高频 出光面特征 方形
正向工作电流 详见规格书(a) 最高反向电压 详见规格书(v)

本公司坚持品质为优,顾客为上的宗旨

 直销,,量大从优

单价请详谈

 欢迎新老客户来电垂谈

 

qq1061551221 

                          qq515591938

 

tvs二极管与常见的稳压二极管的工作原理相似,如果高于标志上的击穿电压,tvs二极管就会导通,与稳压二极管相比,tvs二极管有更高的电流导通能力。tvs二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时,以10-12s量级速度,将其两极间的高阻抗变为低阻抗,同时吸收高达数千瓦的浪涌功率。使两极间的电压箝位于一个安全值,有效地保护电子线路中的精密元器件免受浪涌脉冲的破坏。

tvs器件的特点

一、tvs器件的工作原理

  瞬态(瞬变)电压抑制二级管简称tvs器件,在规定的反向应用条件下,当承受一个高能量的瞬时过压脉冲时,其工作阻抗能立即降至很低的导通值,允许大电流通过,并将电压箝制到预定水平,从而有效地保护电子线路中的精密元器件免受损坏。tvs能承受的瞬时脉冲功率可达上千瓦,其箝位响应时间仅为1ps(10-12s)。tvs允许的正向浪涌电流在t=25℃,t=10ms条件下,可达50~200a。双向tvs可在正反两个方向吸收瞬时大脉冲功率,并把电压箝制到预定水平,双向tvs适用于交流电路,单向tvs一般用于直流电路。

二、tvs器件的电特性

1、单向tvs的v-i特性,单向tvs的正向特性与普通稳压二极管相同,反向击穿拐点近似“直角”为硬击穿,为典型的pn结雪崩器件。从击穿点到vc值所对应的曲线段表明,当有瞬时过压脉冲时,器件的电流急骤增加而反向电压则上升到箝位电压值,并保持在这一水平上。

2、双向tvs的v-i特性,双向tvs的v-i特性曲线如同两只单向tvs“背靠背”组合,其正反两个方向都具有相同的雪崩击穿特性和箝位特性,正反两面击穿电压的对称关系为:0.9≤v(br)(正) /v(br)(反) ≤1.1,一旦加在它两端的干扰电压超过箝位电压vc就会立刻被抑制掉,双向tvs在交流回路应用十分方便。

三、tvs器件的主要电参数

1、击穿电压v(br)器件在发生击穿的区域内,在规定的试验电流i(br)下,测得器件两端的电压称为击穿电压,在此区域内,二极管成为低阻抗的通路。

2、最大反向脉冲峰值电流ipp在反向工作时,在规定的脉冲条件下,器件允许通过的最大脉冲峰值电流。ipp与最大箝位电压vc(max)的乘积,就是瞬态脉冲功率的最大值。使用时应正确选取tvs,使额定瞬态脉冲功率ppr大于被保护器件或线路可能出现的最大瞬态浪涌功率。当瞬时脉冲峰值电流出现时,tvs被击穿,并由击穿电压值上升至最大箝位电压值,随着脉冲电流呈指数下降,箝位电压亦下降,恢复到原来状态。因此,tvs能抑制可能出现的脉冲功率的冲击,从而有效地保护电子线路。峰值电流波形a、正弦半波b、矩形波c、标准波(指数波形)d、三角波tvs峰值电流的试验波形采用标准波(指数波形),由tr/tp决定。峰值电流上升时间tr:电流从0.1ipp开始达到0.9ipp的时间。半峰值电流时间tp:电流从零开始通过最大峰值后,下降到0.5ipp值的时间。下面列出典型试验波形的tr/tp值:a、emp波:10ns /1000ns b、闪电波:8μs /20μs c、标准波:10μs /1000μs

3、最大反向工作电压vrwm(或变位电压)器件反向工作时,在规定的ir下,器件两端的电压值称为最大反向工作电压vrwm。通常vrwm =(0.8~0.9)v (br)。在这个电压下,器件的功率消耗很小。使用时,应使vrwm不低于被保护器件或线路的正常工作电压。

4、最大箝位电压vc(max )在脉冲峰值电流ipp作用下器件两端的最大电压值称为最大箝位电压。使用时,应使vc(max )不高于被保护器件的最大允许安全电压。最大箝位电压与击穿电压之比称为箝为系数。即:箝位系数=vc(max )/v(br)一般箝位系数为1.3左右。最大箝位电压vc(max )的测试方法见4.4。

5、反向脉冲峰值功率ppr tvs的ppr取决于脉冲峰值电流ipp和最大箝位电压vc(max ),除此以外,还和脉冲波形、脉冲时间及环境温度有关。当脉冲时间tp一定时,ppr =k1...·k2·vc(max )·ipp式中k1为功率系数,k2为功率的温度系数。典型的脉冲持续时间tp为1ms,当施加到瞬态电压抑制二极管上的脉冲时间tp比标准脉冲时间短时,其脉冲峰值功率将随tp的缩短而增加。tvs的反向脉冲峰值功率ppr与经受浪涌的脉冲波形有关,用功率系数k1表示,各种浪涌波形的k1值如表1所示。e=∫i(t).v(t)dt式中:i(t)为脉冲电流波形,v(t)为箝位电压波形。这个额定能量值在极短的时间内对tvs是不可重复施加的。但是,在实际的应用中,浪涌通常是重复地出现,在这种情况下,即使单个的脉冲能量比tvs器件可承受的脉冲能量要小得多,但若重复施加,这些单个的脉冲能量积累起来,在某些情况下,也会超过tvs器件可承受的脉冲能量。因此,电路设计必须在这点上认真考虑和选用tvs器件,使其在规定的间隔时间内,重复施加脉冲能量的累积不至超过tvs器件的脉冲能量额定值。

6、电容cpp tvs的电容由硅片的面积和偏置电压来决定,电容在零偏情况下,随偏置电压的增加,该电容值呈下降趋势。电容的大小会影响tvs器件的响应时间。

7、漏电流ir当最大反向工作电压施加到tvs上时,tvs管有一个漏电流ir,当tvs用于高阻抗电路时,这个漏电流是一个重要的参数。