芯片示意图
芯片尺寸（㎜×㎜）
0.35×0.35
芯片厚度（µm）
180±20
键合区面积
(µm2)
正面
230×230
正面电极（阳极）金属
铝
背面电极（阴极）金属
金
硅片直径（㎜）
φ100
装片要求
共晶
2电特性
2.1极限值
除非另有规定，tamb= 25℃
参数名称
符号
额定值
单位
备注
峰值反向电压
ｖｒｍ
40
v
封装形式：
sod-323
推荐成品型号：
ch035h-40
正向电流
iｄ
200
ma
结温
tj
125
℃
贮存温度
tstg
-40～125
2.2电参数
测试条件
规范值
最小
典型
最大
击穿电压
ｖbr
ir=100μa
－
反向电流
ir
vr=40v
0.7
5
μa
正向电压
vf1
if1=20ma
0.36
370
mv
vf2
if2=200ma
0.59
600
总电容
ctot
vr=0v，f=1mhz
25
28
pf