巨磁电阻(gmr)芯片
品牌 |
hme |
型号 |
ss50 |
种类 |
磁敏 |
材料 |
混合物 |
材料物理性质 |
半导体 |
材料晶体结构 |
多晶 |
工艺 |
薄膜 |
输出信号 |
模拟型 |
防护等级 |
ip68 |
线性度 |
0.01(%f.s.) |
迟滞 |
0.1(%f.s.) |
重复性 |
0.1(%f.s.) |
灵敏度 |
23 |
漂移 |
0.001 |
分辨率 |
12 |
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利用巨磁电阻(gmr)效应研究开发的巨磁电阻(gmr)传感器芯片,具有体积小、灵敏度高、线性好、线性范围宽、响应频率高、使用温度特性好、可靠性高、成本低等特点,是各种传统传感器的换代产品。巨磁电阻(gmr)传感器芯片在国际上的实际应用刚刚开始。近两年来,我公司根据市场的实际需要,陆续开发、了hm系列gmr芯片产品。该系列产品主要运用于磁头、接近开关齿轮转速传感器、电流检测、磁栅尺、磁编码器、角度传感器、电子罗盘及各种弱磁检测等领域。