仕兰微 场效应管 mos管 4n60d

svd4n60d n沟道增强型高压功率mos场效应晶体管采用仕兰微电子的s-rin^tm平面高压vdmos工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
   该产品可广泛应用于ac-dc开关电源，dc-dc电源转换器，高压h桥pmw马达驱动。
特点：

*4a，600v，rds(on)=2.0ω@vgs=10v
*低栅极电荷量
*低反向传输电容
*开关速度快
*提升了dv/dt能力
 

还可其它规格：1n60db（to-92）、1n60m（to-251）、1n60b（to-92）、1n60d（to-252）、2n60f（to-220f）、2n60m（to-251）、2n60d（to-252）、2n60t（to-220）、2n70f（to-220f）、4n60f（to-220f）、4n60d（to-252）、4n60t（to-220）、4n65f（to-220f）、7n60f（to-220f）、7n60t（to-220）、8n60f（to-220f）、10n65f（to-220f）、10n65t（to-220）、12n65f（to-220f）、12n65t（to-220）、730f（to-220f）、730t（to-220）、830f（to-220f）、830t（to-220）、830d（to-252）、840f（to-220f）、840t（to-220）