irf5305pbf 场效应管
| 品牌 |
ir美国国际整流器公司 |
型号 |
irf5305pbf |
| 种类 |
绝缘栅(mosfet) |
沟道类型 |
p沟道 |
| 导电方式 |
增强型 |
用途 |
hf/高频(射频)放大 |
| 封装外形 |
cer-dip/陶瓷直插 |
材料 |
ge-p-fet锗p沟道 |
| 开启电压 |
-55（v） |
夹断电压 |
55（v） |
| 低频跨导 |
标准（μs） |
极间电容 |
标准（pf） |
| 低频噪声系数 |
标准（db） |
最大漏极电流 |
标准（ma） |
| 最大耗散功率 |
标准（mw） |
| |
制造商: international rectifier 制造商编号: irf5305pbf 描述
- 晶体管极性:p沟道
- 漏极电流, id 最大值:-31a
- 电压, vds 最大:55v
- 开态电阻, rds(on):0.06ohm
- 电压 @ rds测量:-10v
- 电压, vgs 最高:-4v
- 功耗:110w
- 封装类型:to-220ab
- 针脚数:3
- 功率, pd:110w
- 器件标记:irf5305
- 封装类型:to-220ab
- 引脚节距:2.54mm
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:mosfet
- 温度 @ 电流测量:25°c
- 满功率温度:25°c
- 热阻, 结至外壳 a:1.4°c/w
- 电压 vgs @ rds on 测量:-10v
- 电压, vds:55v
- 电压, vds 典型值:-55v
- 电流, id 连续:31a
- 电流, idm 脉冲:110a
- 表面安装器件:通孔安装
- 针脚格式:1 g
- 2 d/tab
- 3 s
- 针脚配置:a
- 阈值电压, vgs th 典型值:-4v