场效应管 irfz24
| 品牌 |
sam韩国三星 |
型号 |
irfz24 |
| 种类 |
结型(jfet) |
沟道类型 |
p沟道 |
| 导电方式 |
耗尽型 |
用途 |
cc/恒流 |
| 封装外形 |
chip/小型片状 |
材料 |
algaas铝镓砷 |
| 开启电压 |
456（v） |
夹断电压 |
56（v） |
| 低频跨导 |
56（μs） |
极间电容 |
45（pf） |
| 低频噪声系数 |
6565（db） |
最大漏极电流 |
5465（ma） |
| 最大耗散功率 |
546（mw） |
| |
data sheet
product specification
supersedes data of 1997 apr 17
1999 apr 12
discrete semiconductors
bc856; bc857
pnp general purpose transistors
book, halfpage
m3d088
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