场效应管-场效应管-场效应管-场效应管-品质保证
| 品牌 |
国产,进口 |
型号 |
多型号 |
| 种类 |
结型(jfet) |
沟道类型 |
p沟道 |
| 导电方式 |
增强型 |
用途 |
a/宽频带放大 |
| 封装外形 |
chip/小型片状 |
材料 |
algaas铝镓砷 |
| 开启电压 |
来电咨询(v) |
夹断电压 |
来电咨询(v) |
| 低频跨导 |
来电咨询(μs) |
极间电容 |
来电咨询(pf) |
| 低频噪声系数 |
来电咨询(db) |
最大漏极电流 |
来电咨询(ma) |
| 最大耗散功率 |
来电咨询(mw) |
| |
场效应管工作原理用一句话说,就是“漏极-源极间流经沟道的id,用以门极与沟道间的pn结形成的反偏的门极电压控制id”。更正确地说,id流经通路的宽度,即沟道截面积,它是由pn结反偏的变化,产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在vgs=0的非饱和区域,表示的过渡层的扩展因为不很 大,根据漏极-源极间所加vds的电场,源极区域的某些电子被漏极拉去,即从漏极向源极有电流id流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型,id饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡,并不是电流被切断。 在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动,在理想状态下几乎具有绝缘特性,通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场,实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近,由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生id的饱和现象。其次,vgs向负的方向变化,让vgs=vgs(off),此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且vds的电场大部分加到过渡层上,将电子拉向漂移方向的电场,只有靠近源极的很短部分,这更使电流不能流通。