2on60场效应管
| 品牌 |
英飞凌 |
型号 |
20n60 |
| 种类 |
结型(jfet) |
沟道类型 |
n沟道 |
| 导电方式 |
增强型 |
用途 |
a/宽频带放大 |
| 封装外形 |
cer-dip/陶瓷直插 |
材料 |
ge-n-fet锗n沟道 |
| 开启电压 |
1200（v） |
夹断电压 |
1200（v） |
infineon英飞凌原装coolmos产地：德国
spa20n60c3 to-220f
spp20n60c3 to-220
spw20n60cfd to-247
相关介绍
spp20n60c3 vds/600v; rds0.19ω; /d/20.7a; 208w;
marking:20n60c3
英飞凌的功率芯片的工艺采用了离子注入技术，这是一种全球领先的工艺技术，而世界上的其他半导体厂商用的工艺仍然是热扩散技术；离子注入技术与热扩散技术相比，其优点在于，离子注入技术可以很好地控制半导体扩散到硅基板中的浓度和厚度，精度极高，制造的器件有一个重要特点就是一致性特别好，而旧的离子扩散技术由于温度控制的精度很难做得很高，所以器件的一致性不如离子注入技术。
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