高频放大三极管3df50g 商业品
品牌 |
oc |
型号 |
3df50g |
应用范围 |
放大 |
功率特性 |
大功率 |
频率特性 |
高频 |
极性 |
npn型 |
结构 |
平面型 |
材料 |
硅 |
封装形式 |
to-3piii |
封装材料 |
塑料封装 |
营销方式 |
直销 |
| |
此条信息的一口价,为大功率三极管3df50g商业品的。
工业品和普军品的如下:
3df50g 工业品:45.0元/只
3df50g 普军品:142.0元/只
型号:3df50g
npn高频特大功率三极管
封装形式:to-3piii
电特性:
极限值(除非另有规定tamb=25℃)
参数名称 | 符 号 | 额定值 | 单 位 |
集电极—发射极电压 | vce0 | 400-800 | v |
集电极—基极电压 | vcbo | 900 | v |
发射极—基极电压 | vebo | ≥7 | v |
集电极电流 | ic | 50 | a |
耗散功率 | pc | 500 | w |
贮存温度 | tstg | -55 ~ 150 | ℃ |
电参数(除非另有规定tamb=25℃)
参数名称 | 符号 | 规范值 | 单位 |
最小 | 典型 | 最大 |
集电极-基极截止电流 | icb0 | — | — | 10.0 | ma |
发射极-基极截止电流 | ieb0 | — | — | 10.0 | ma |
直流电流增益 | hfe | 20 | — | 120 | |
集电极-发射极饱和电压 | vcesata | — | — | 3 | v |
集电极-发射极击穿电压 | v(br)ceo | 500 | — | 800 | v |
集电极-基极击穿电压 | v(br)cbo | 900 | — | — | v |
发射极-基极击穿电压 | v(br)ebo | 7.0 | — | — | v |
开启时间 | ton | — | — | 1.8 | us |
贮存时间 | ts | — | — | 5.0 | us |
下降时间 | tf | — | — | 1 | us |
a:脉冲测试 |