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两极晶体管 - BJT FSB660A_Q品牌、价格、PDF参数

FSB660A_Q • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格(人民币)
FSB660A_Q Fairchild Semiconductor 两极晶体管 - BJT PNP Transistor Low Saturation 可订货
FSB660A_Q • PDF参数
类别: RF/IF 和 RFID >> 两极晶体管 - BJT
描述: 两极晶体管 - BJT PNP Transistor Low Saturation
RoHS: 否
PDF参数:
制造商 Fairchild Semiconductor
配置 Single
晶体管极性 PNP
集电极—基极电压 VCBO 60 V
集电极—发射极最大电压 VCEO 60 V
发射极 - 基极电压 VEBO 5 V
集电极—射极饱和电压 60 V
最大直流电集电极电流 2 A
增益带宽产品fT 75 MHz
直流集电极/Base Gain hfe Min 70 at 100 mA at 2 V
最大工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 SSOT-3
电脑版（www.mmic.net.cn）
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