两极晶体管 - BJT BC846BPDW1T1品牌、价格、PDF参数

BC846BPDW1T1 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格(人民币)
BC846BPDW1T1 ON Semiconductor 两极晶体管 - BJT 100mA 80V Dual 可订货
BC846BPDW1T1 • PDF参数
类别: RF/IF 和 RFID >> 两极晶体管 - BJT
描述: 两极晶体管 - BJT 100mA 80V Dual
RoHS:
PDF参数:
制造商 ON Semiconductor
配置 Dual
晶体管极性 NPN/PNP
集电极—基极电压 VCBO - 80 V, + 80 V
集电极—发射极最大电压 VCEO - 65 V, + 65 V
发射极 - 基极电压 VEBO 6 V at NPN, 5 V at PNP
集电极—射极饱和电压 +/- 65 V
最大直流电集电极电流 0.1 A
增益带宽产品fT 100 MHz
直流集电极/Base Gain hfe Min 150 at 10 uA at 5 V
最大工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 SC-70-6