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两极晶体管 - BJT BC859CLT3G品牌、价格、PDF参数

BC859CLT3G • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格(人民币)
BC859CLT3G ON Semiconductor 两极晶体管 - BJT 100mA 30V PNP 可订货
2N6031G ON Semiconductor 两极晶体管 - BJT 16A 140V 200W PNP 可订货
BC859CLT3G • PDF参数
类别: RF/IF 和 RFID >> 两极晶体管 - BJT
描述: 两极晶体管 - BJT 100mA 30V PNP
RoHS: 否
PDF参数:
制造商 ON Semiconductor
配置 Single
晶体管极性 PNP
集电极—基极电压 VCBO - 30 V
集电极—发射极最大电压 VCEO - 30 V
发射极 - 基极电压 VEBO 5 V
集电极—射极饱和电压 - 30 V
最大直流电集电极电流 0.1 A
增益带宽产品fT 100 MHz
直流集电极/Base Gain hfe Min 270 at 10 uA at 5 V
最大工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 SOT-23-3
电脑版（www.mmic.net.cn）
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