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薄膜电容器 MKP386M427200JT1品牌、价格、PDF参数

MKP386M427200JT1 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格(人民币)
MKP386M427200JT1 Vishay/Roederstein 薄膜电容器 MKP 0.27 F 5% 2000Vdc (T1) E3 可订货
MKP386M427200JT1 • PDF参数
类别: 半导体模块 >> 薄膜电容器
描述: 薄膜电容器 MKP 0.27 F 5% 2000Vdc (T1) E3
RoHS: 否
PDF参数:
制造商 Vishay/Roederstein
产品类型 Snubber
电介质
电容 0.27 uF
容差 5 %
电压额定值
系列 MKP386M
工作温度范围 0 C to 85 C
端接类型 Lug
引线间隔 28 mm
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