达林顿晶体管 KSP63BU_Q品牌、价格、PDF参数

KSP63BU_Q • 品牌、价格

元器件型号	厂商	描述	数量	价格(人民币)
KSP63BU_Q	Fairchild Semiconductor	达林顿晶体管 PNP Si Transistor Epitaxial Darlington	可订货

KSP63BU_Q • PDF参数

类别:	RF/IF 和 RFID >> 达林顿晶体管
描述:	达林顿晶体管 PNP Si Transistor Epitaxial Darlington
RoHS:	否
PDF参数:
制造商	Fairchild Semiconductor
配置	Single
晶体管极性	PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO	30 V
发射极 - 基极电压 VEBO	10 V
集电极—基极电压 VCBO	30 V
最大直流电集电极电流	0.5 A
最大集电极截止电流	0.1 uA
功率耗散	625 mW
最大工作温度	+ 150 C
安装风格	Through Hole
封装 / 箱体	TO-92
封装	Bulk