产品优点:
(1)集成封装尺寸2*6,不足ic+mos(futune dw01+ms8205)分体封装尺寸的一半,特别适合尺寸较小的应用场合.例如:手机电池,蓝牙电池,mp3/mp4.
(2)连续工作电流在0-1800ma,峰值工作电流不小于5500ma.完全可以满足一般单节锂离子聚合物电池的小功率应用.
例如:手机电池,蓝牙电池,mp3/mp4.电子书(e-book)电池等,
(3)拼脚数量从14个减少到5个,外围器件最多只有2个电阻,3个电容,smt费用减少15%
(4)ic本身成本比分体封装成本减低10-15%,抗静电及稳定性都有大幅度提高,最终成品可靠性更加有保证.
总之:较之分体方案,本品综合成本降低15%-20%,可靠性安全性提高20%.是目前单节保护ic方案中性价比最好的选择.
itm eli501 specification
规格书
产 品 特性：
（1）保护ic与内置n沟道双mos的mos管集成在一个封装内。
（2）通过内部连接减少了拼脚数量。（14---6）
（3）应用部件：
a)保护ic：
1）用高耐压cmos工艺，可以连接额定电压超过24v的充电仪器。
2）电压检测精度：
过充电压检测：±60mv ; 过放电压检测：±110mv；过流电压检测：±35mv （temperature :ta=25℃)
3）内置检测延迟时间：
过充检测延迟：type 0.08s / max 0.20s (ta=25℃); 过放检测延迟：typ 40ms/ max 100ms (ta=25℃)
放电过流检测延迟：type 10? / max 30? (ta=25℃)；短路检测延迟：typ 5? / max 50? (ta=25℃)
4）带非正常充电检测功能
5）有0v充电允许功能
6）带有充电唤醒功能。（不能自东唤醒）
b) mos管：
1）采用先进的半导体接近技术优良的pids，在vgs加载电压12v时，操作门电压小于2.50v。
2）共漏极结构
3）一般特性：
- vds (v) = 20v
- id (a) = 6a
- rss (on) < 60mω (vgs = 4.5v, id = 5a)
概述：
这是一款新型的电池保护解决方案ic，是内置了保护ic和n沟道双mos管的复合保护ic。主要用于锂离子、聚合物电池单节系列应用领域。他的保护功能是通过检测电池的过充，过放，放电过流及其它异常状态进而驱动内置的n沟道mos管动作来实现的。
这款ic由三个电压检测器,短路检测路, 电压基准源,振荡器,计数器,和逻辑电路构成.
coutpin (充电mos控制拼)和doutpin (放电mos控制拼)的输出是cmos输出,可以直接驱动内置的n沟道mosfet.当ic检测到过充状态超过内置的固定延迟时间后, cout 输出低电平.终止充电(保护).当ic检测到过放,放电过流和短路状态超过内置的固定延迟时间后, dout拼输出低电平,放电终止(保护).
在过充状态,如果vdd电压低于过充释放电压,时间超过充释放延迟时间, cout输出高电平,过充保护解处.在过放状态,如果在电池连接充电器时,电池电压上升超过过放检测电压,时间超过内置的延迟时间后, dout拼输出高电平, 过放保护状态解出. 当电池电压放到0v时, 可以直接给电池充电,ic不会阻止对0v电池充电.
一旦放电过流或者短路已经被检测到,处于保护状态的电池,当断开负载后,时间超过内置的延迟时间后, dout输出高电平,保护状态会自动解处.在过放保护状态,电池可的电流趋近于0.