型号:2sc2625
npn硅大功率晶体管
封装形式:to-3pn
电特性:
极限值(除非另有规定tamb=25℃)
参数名称
符 号
额定值
单 位
集电极—发射极电压
vce0
400
v
集电极—基极电压
vcbo
450
发射极—基极电压
vebo
7
集电极电流
ic
10
a
基极电流
ib
3
耗散功率
pc
80
w
结 温
tj
150
℃
贮存温度
tstg
-55 ~ 150
电参数(除非另有规定tamb=25℃)
符号
测试条件
规范值
单位
最小
典型
最大
集电极-基极截止电流
icb0
vcb=450v, ie=0
—
1.0
ma
发射极-基极截止电流
ieb0
veb=7v, ic=0
0.1
直流电流增浮率
hfe
ic=4a, vce=5v
集电极-发射极饱和电压
vcesata
ic=4a , ib=0.8a
1.2
基 极-发射极饱和电压
vbesata
1.5
集电极-发射极击穿电压
v(br)ceo
ic=10ma, ib=0
集电极-基极击穿电压
v(br)cbo
ic=1.0ma, ie=0
特征频率
ft
vce=10v,ic=1a
mhz
开启时间
ton
vcc=150v, ic=5.0a
ib1= -1a, ib2=1.0a
rl=30 ohm
us
贮存时间
ts
2.5
下降时间
tf
a:脉冲测试