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分离式半导体产品 PMGD400UN,115品牌、价格、PDF参数

PMGD400UN,115 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
PMGD400UN,115 NXP Semiconductors MOSFET N-CH TRENCH DL 30V SOT363 9,000 3,000:$0.09504
6,000:$0.08928
PMGD400UN,115 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: 2 个 N 沟道（双）
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 710mA
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 480 毫欧 @ 200mA，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 0.89nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 43pF @ 25V
功率 - 最大: 410mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商设备封装: 6-TSSOP
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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