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分离式半导体产品 DMG4932LSD-13品牌、价格、PDF参数

DMG4932LSD-13 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
DMG4932LSD-13 Diodes Inc MOSFET 2N-CH 30V 9.5A SO8 3,085 1:$0.64000
10:$0.53600
25:$0.46920
100:$0.40170
250:$0.34840
500:$0.29510
1,000:$0.22750
DMG4932LSD-13 Diodes Inc MOSFET 2N-CH 30V 9.5A SO8 3,085 1:$0.64000
10:$0.53600
25:$0.46920
100:$0.40170
250:$0.34840
500:$0.29510
1,000:$0.22750
DMG4932LSD-13 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: 2 个 N 沟道（双）
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 9.5A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 15 毫欧 @ 9A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 2.4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 42nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1932pF @ 15V
功率 - 最大: 1.19W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC（0.236"，6.00mm 宽）
供应商设备封装: 8-SO
包装: 剪切带 (CT)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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