型号
分离式半导体产品 PMGD780SN,115品牌、价格、PDF参数
PMGD780SN,115
品牌、价格
元器件型号
厂商
描述
数量
价格
PMGD780SN,115
NXP Semiconductors
MOSFET N-CH TRENCH DL 60V SOT363
3,000
3,000:$0.11900
6,000:$0.11200
15,000:$0.10400
30,000:$0.09600
75,000:$0.09200
150,000:$0.08900
PMGD780SN,115
NXP Semiconductors
MOSFET N-CH TRENCH DL 60V SOT363
5,419
1:$0.48000
10:$0.37800
25:$0.31880
100:$0.25990
250:$0.21528
500:$0.17784
1,000:$0.13320
PMGD780SN,115
PDF参数
类别:
分离式半导体产品
FET 型:
2 个 N 沟道(双)
FET 特点:
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):
60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
490mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:
920 毫欧 @ 300mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):
2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:
1.05nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:
23pF @ 30V
功率 - 最大:
410mW
安装类型:
表面贴装
封装/外壳:
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装:
6-TSSOP
包装:
带卷 (TR)
电子产品资料
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