型号
分离式半导体产品 IRFHM8363TR2PBF品牌、价格、PDF参数
IRFHM8363TR2PBF
品牌、价格
元器件型号
厂商
描述
数量
价格
IRFHM8363TR2PBF
International Rectifier
MOSFET N CH DUAL 30V 11A PQFN
1,200
400:$0.58768
800:$0.55506
1,200:$0.52005
2,800:$0.49761
10,000:$0.45547
40,000:$0.43949
IRFHM8363TR2PBF
PDF参数
类别:
分离式半导体产品
FET 型:
2 个 N 沟道(双)
FET 特点:
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
11A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:
14.9 毫欧 @ 10A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):
2.35V @ 25µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:
15nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:
1165pF @ 10V
功率 - 最大:
2.7W
安装类型:
表面贴装
封装/外壳:
8-PowerVDFN
供应商设备封装:
8-PQFN(3.3X3.3),Power33
包装:
带卷 (TR)
电子产品资料
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