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分离式半导体产品 SSM6N7002BFU,LF品牌、价格、PDF参数

SSM6N7002BFU,LF • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SSM6N7002BFU,LF Toshiba MOSFET N-CH 60V 200MA US6 3,000 3,000:$0.08000
6,000:$0.07200
15,000:$0.06400
30,000:$0.06000
75,000:$0.05320
150,000:$0.05000
SSM6N7002BFU,LF • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 200mA
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 2.1 欧姆 @ 500mA，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 3.1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: -
输入电容 (Ciss) @ Vds: 17pF @ 25V
功率 - 最大: 300mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商设备封装: US6
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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