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分离式半导体产品 SI1967DH-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SI1967DH-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SI1967DH-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6 2,786 1:$0.50000
25:$0.34640
100:$0.29700
250:$0.25652
500:$0.22050
1,000:$0.17100
SI1967DH-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6 0 3,000:$0.13950
6,000:$0.13050
15,000:$0.12150
30,000:$0.11475
75,000:$0.11250
150,000:$0.10800
SI1967DH-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: 2 个 P 沟道（双）
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 1.3A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 490 毫欧 @ 910mA，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 4nC @ 8V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 110pF @ 10V
功率 - 最大: 1.25W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商设备封装: SC-70-6
包装: 剪切带 (CT)
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