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分离式半导体产品 DMN5L06DW-7品牌、价格、PDF参数

DMN5L06DW-7 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
DMN5L06DW-7 Diodes Inc MOSFET N-CHAN DUAL 200MW SOT-363 0
DMN5L06DW-7 Diodes Inc MOSFET N-CHAN DUAL 200MW SOT-363 0
DMN5L06DW-7 Diodes Inc MOSFET N-CHAN DUAL 200MW SOT-363 0
DMN5L06DW-7 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: 2 个 N 沟道（双）
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 50V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 280mA
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 3 欧姆 @ 200mA，2.7V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 1.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: -
输入电容 (Ciss) @ Vds: 50pF @ 25V
功率 - 最大: 200mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商设备封装: SOT-363
包装: Digi-Reel®
电脑版（www.mmic.net.cn）
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