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分离式半导体产品 NVMD3P03R2G品牌、价格、PDF参数

NVMD3P03R2G • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
NVMD3P03R2G ON Semiconductor MOSFET P CH 30V 2.34A 8-SOIC 0 2,500:$0.63000
NVMD3P03R2G • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: 2 个 P 沟道（双）
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 2.34A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 85 毫欧 @ 3.05A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 750pF @ 24V
功率 - 最大: 730mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装: 8-SOIC
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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