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分离式半导体产品 PHKD6N02LT,518品牌、价格、PDF参数

PHKD6N02LT,518 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
PHKD6N02LT,518 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 20V 10.9A SOT96-1 0 10,000:$0.33638
PHKD6N02LT,518 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: 2 个 N 沟道（双）
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 10.9A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 20 毫欧 @ 3A，5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 15.3nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 950pF @ 10V
功率 - 最大: 4.17W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装: 8-SO
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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