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分离式半导体产品 PHN210T,118品牌、价格、PDF参数

PHN210T,118 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
PHN210T,118 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 30V 3.4A 8-SOIC 0 10,000:$0.26000
PHN210T,118 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: 2 个 N 沟道（双）
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 3.4A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 100 毫欧 @ 2.2A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 2.8V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 6nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 250pF @ 20V
功率 - 最大: 2W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装: 8-SO
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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