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分离式半导体产品 J112RL1G品牌、价格、PDF参数

J112RL1G • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
J112RL1G ON Semiconductor TRANS GP JFET N-CH 35V TO-92 0
J112RL1G • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
漏极至源极电压(Vdss): -
漏极电流 (Id) - 最大: -
FET 型: N 沟道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS): 35V
电压 - 切断 (VGS 关）@ Id: 1V @ 1µA
输入电容 (Ciss) @ Vds: -
电阻 - RDS（开）: 50 欧姆
安装类型: 通孔
包装: 带卷 (TR)
封装/外壳: TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线
供应商设备封装: TO-92-3
功率 - 最大: 350mW
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