分离式半导体产品 BG 3123R H6327品牌、价格、PDF参数

BG 3123R H6327 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
BG 3123R H6327 Infineon Technologies MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363 0 12,000:$0.12630
BG 3123 H6327 Infineon Technologies MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363 0 15,000:$0.12630
BF 998R E6327 Infineon Technologies MOSFET N-CH RF 12V 30MA SOT-143 0 9,000:$0.11951
BF 5030W H6327 Infineon Technologies MOSFET RF N-CH 8V 25MA SOT343 0 18,000:$0.09744
BF 1005 E6327 Infineon Technologies MOSFET N-CH 8V 25MA SOT-143 0 15,000:$0.09454
BF 2030W H6824 Infineon Technologies MOSFET N-CH 8V 40MA SOT343 0 20,000:$0.08882
BF 2030W H6814 Infineon Technologies MOSFET N-CH 8V 40MA SOT343 0 18,000:$0.08882
BG 3123R H6327 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
晶体管类型: 2 N-通道(双)
频率: 800MHz
增益: 25dB
电压 - 测试: 5V
额定电流: 25mA,20mA
噪音数据: 1.8dB
电流 - 测试: 14mA
功率 - 输出: -
电压 - 额定: 8V
封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装: PG-SOT363-6
包装: 带卷 (TR)