型号

分离式半导体产品 BG 5412K E6327品牌、价格、PDF参数

BG 5412K E6327 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
BG 5412K E6327 Infineon Technologies MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT-363 0
PTF140451E V1 Infineon Technologies IC FET RF LDMOS 45W H-30265 0
PTF140451F V1 Infineon Technologies IC FET RF LDMOS 45W H-31265 0
PTF141501E V1 Infineon Technologies IC FET RF LDMOS 150W H-30260-2 0
PTF210451E V1 Infineon Technologies IC FET RF LDMOS 45W H-30265-2 0
PTF210451F V1 Infineon Technologies IC FET RF LDMOS 45W H-31265-2 0
PTFA041501GL V1 Infineon Technologies IC FET RF LDMOS 150W PG-63248-2 0
PTFA041501GL V1 R250 Infineon Technologies IC FET RF LDMOS 150W PG-63248-2 0
PTFA041501HL V1 Infineon Technologies IC FET RF LDMOS 150W PG-64248-2 0
PTFA041501HL V1 R250 Infineon Technologies IC FET RF LDMOS 150W PG-64248-2 0
PTFA043002E V1 Infineon Technologies IC FET RF LDMOS 300W H-30275-4 0
PTFA080551E V1 Infineon Technologies IC FET RF LDMOS 55W H-36265-2 0
PTFA080551F V1 Infineon Technologies IC FET RF LDMOS 55W H-37265-2 0
PTFA081501E V1 Infineon Technologies IC FET RF LDMOS 150W H-30248-2 0
PTFA092201F V1 Infineon Technologies IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2 0
PTFA180701F V4 Infineon Technologies IC FET RF LDMOS 70W H-37265-2 0
PTFA180701F V4 R250 Infineon Technologies IC FET RF LDMOS 70W H-37265-2 0
PTFA181001E V4 Infineon Technologies IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2 0
PTFA181001GL V1 R250 Infineon Technologies IC FET RF LDMOS 100W PG-63248-2 0
PTFA181001HL V1 Infineon Technologies IC FET RF LDMOS 100W PG-64248-2 0
PTFA181001HL V1 R250 Infineon Technologies IC FET RF LDMOS 100W PG-64248-2 0
PTFA191001E V4 Infineon Technologies IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2 0
PTFA191001E V4 R250 Infineon Technologies IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2 0
PTFA191001F V4 Infineon Technologies IC FET RF LDMOS 100W H-37248-2 0
PTFA191001F V4 R250 Infineon Technologies IC FET RF LDMOS 100W H-37248-2 0
PTFA192001F V4 Infineon Technologies IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2 0
PTFA192001F V4 R250 Infineon Technologies IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2 0
PTFA192401E V4 R250 Infineon Technologies IC FET RF LDMOS 240W H-36260-2 0
BG 5412K E6327 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
晶体管类型: 2 N-通道（双）
频率: 800MHz
增益: 24dB
电压 - 测试: 5V
额定电流: 25mA
噪音数据: 1.1dB
电流 - 测试: 10mA
功率 - 输出: -
电压 - 额定: 8V
封装/外壳: 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商设备封装: PG-SOT363-6
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
买卖IC网 版权所有©2006-2020