分离式半导体产品 NESG2021M16-T3-A品牌、价格、PDF参数

NESG2021M16-T3-A • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
NESG2021M16-T3-A CEL TRANS NPN 2GHZ M16 0 10,000:$0.51000
NE677M04-T2-A CEL TRANSISTOR NPN 1.8GHZ M04 0 3,000:$0.49000
NE68133-T1B-R35-A CEL TRANSISTOR NPN 9GHZ SOT-23 0 3,000:$0.47600
NE68133-T1B-R33-A CEL TRANSISTOR NPN 9GHZ SOT-23 0 3,000:$0.47600
NE85633-T1B-R24-A CEL TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-23 0 3,000:$0.43400
NE85630-T1-R25-A CEL TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-323 0 3,000:$0.43400
NE85630-T1-R24-A CEL TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-323 0 3,000:$0.43400
NE678M04-T2-A CEL TRANSISTOR NPN 1.8GHZ M04 0 3,000:$0.40600
NE662M16-T3-A CEL TRANSISTOR NPN 2GHZ M16 0 10,000:$0.39500
NESG2030M04-T2-A CEL TRANS NPN 2GHZ SOT-343 0 3,000:$0.39200
NE85639-T1-A CEL TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-143 0 3,000:$0.39200
NE661M04-T2-A CEL TRANSISTOR NPN 2GHZ M04 0 3,000:$0.34800
NE894M13-T3-A CEL TRANS NPN 3GHZ M13 0 10,000:$0.33200
NE856M13-T3-A CEL TRANSISTOR NPN M13 0 10,000:$0.27300
NE687M13-T3-A CEL TRANSISTOR NPN 2GHZ M13 0 10,000:$0.27300
NE685M13-T3-A CEL TRANSISTOR NPN 2GHZ M13 0 10,000:$0.27300
NESG2021M16-T3-A • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
电压 - 集电极发射极击穿(最大): 5V
频率 - 转换: 25GHz
噪声系数(dB典型值@频率): 0.9dB ~ 1.3dB @ 2GHz ~ 5.2GHz
增益: 10dB ~ 18dB
功率 - 最大: 175mW
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE): 130 @ 5mA,2V
电流 - 集电极 (Ic)(最大): 35mA
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-SMD,扁平引线
供应商设备封装: M16,1208
包装: 带卷 (TR)