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分离式半导体产品 NE85639R-T1品牌、价格、PDF参数

NE85639R-T1 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
NE85639R-T1 CEL TRANS NPN 1GHZ SOT-143R 0
NE85633-T1B CEL TRANS NPN 1GHZ SOT-23 0
NE85633-T1B CEL TRANS NPN 1GHZ SOT-23 0
NE68530-T1 CEL TRANS NPN 2GHZ SOT-323 0
NE68530-T1 CEL TRANS NPN 2GHZ SOT-323 0
NE85639R-T1 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
电压 - 集电极发射极击穿（最大）: 12V
频率 - 转换: 9GHz
噪声系数（dB典型值@频率）: 1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz
增益: 13.5dB
功率 - 最大: 200mW
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE): 50 @ 20mA，10V
电流 - 集电极 (Ic)（最大）: 100mA
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOT-143R
供应商设备封装: SOT-143R
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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