分离式半导体产品 NGB8207ABNT4G品牌、价格、PDF参数

NGB8207ABNT4G • 品牌、价格

元器件型号	厂商	描述	数量	价格
NGB8207ABNT4G	ON Semiconductor	IGBT IGNIT N-CH 20A 365V D2PAK-3	800	1:$2.71000 10:$2.44800 25:$2.19320 100:$1.97200 250:$1.75100
NGB8207BNT4G	ON Semiconductor	IGBT IGNIT N-CH 20A 365V D2PAK-3	800	1:$2.71000 10:$2.44800 25:$2.19320 100:$1.97200 250:$1.75100

NGB8207ABNT4G • PDF参数

类别:	分离式半导体产品
IGBT 类型:	-
电压 - 集电极发射极击穿（最大）:	365V
Vge, Ic时的最大Vce（开）:	2.05V @ 4.5V，10A
电流 - 集电极 (Ic)（最大）:	20A
功率 - 最大:	165W
输入类型:	逻辑
安装类型:	表面贴装
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装:	D2PAK
包装:	剪切带 (CT)

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