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分离式半导体产品 IXGQ35N120BD1品牌、价格、PDF参数

IXGQ35N120BD1 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
IXGQ35N120BD1 IXYS IGBT 1200V 75A FRD TO-3P 0 60:$7.40050
IXGQ35N120BD1 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
IGBT 类型: -
电压 - 集电极发射极击穿（最大）: 1200V
Vge, Ic时的最大Vce（开）: 3.3V @ 15V，35A
电流 - 集电极 (Ic)（最大）: 75A
功率 - 最大: 400W
输入类型: 标准
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-3P-3，SC-65-3
供应商设备封装: TO-3P
包装: 管件
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