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半导体模块 IXTN110N20L2品牌、价格、PDF参数

IXTN110N20L2 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
IXTN110N20L2 IXYS MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227 0 11:$34.59545
IXTN8N150L IXYS MOSFET N-CH 1500V 7.5A SOT-227B 0 10:$36.35400
IXTN110N20L2 • PDF参数
类别: 半导体模块
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 100A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 24 毫欧 @ 55A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 4.5V @ 3mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 500nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 23000pF @ 25V
功率 - 最大: 735W
安装类型: 底座安装
封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC
供应商设备封装: SOT-227B
包装: 管件
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