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半导体模块 IXGN82N120C3H1品牌、价格、PDF参数

IXGN82N120C3H1 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
IXGN82N120C3H1 IXYS IGBT 1200V 58A GENX3 SOT-227B 40 1:$38.00000
10:$35.15000
100:$30.02000
250:$27.55000
500:$26.22000
1,000:$24.70000
2,500:$23.94000
5,000:$23.37000
IXGN82N120C3H1 • PDF参数
类别: 半导体模块
IGBT 类型: PT
配置: 单一
电压 - 集电极发射极击穿（最大）: 1200V
Vge, Ic时的最大Vce（开）: 3.9V @ 15V，82A
电流 - 集电极 (Ic)（最大）: 130A
电流 - 集电极截止（最大）: 50µA
Vce 时的输入电容 (Cies): 7.9nF @ 25V
功率 - 最大: 595W
输入: 标准
NTC 热敏电阻: 无
安装类型: 底座安装
封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC
供应商设备封装: SOT-227B
电脑版（www.mmic.net.cn）
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