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半导体模块 APTGT35H120T3G品牌、价格、PDF参数

APTGT35H120T3G • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
APTGT35H120T3G Microsemi Power Products Group IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3 0 14:$62.78857
APTGT35H120T3G • PDF参数
类别: 半导体模块
IGBT 类型: 沟道和场截止
配置: 全桥反相器
电压 - 集电极发射极击穿（最大）: 1200V
Vge, Ic时的最大Vce（开）: 2.1V @ 15V，35A
电流 - 集电极 (Ic)（最大）: 55A
电流 - 集电极截止（最大）: 250µA
Vce 时的输入电容 (Cies): 2.5nF @ 25V
功率 - 最大: 208W
输入: 标准
NTC 热敏电阻: 是
安装类型: 底座安装
封装/外壳: SP3
供应商设备封装: SP3
电脑版（www.mmic.net.cn）
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