分离式半导体产品 BSZ0904NSI品牌、价格、PDF参数

BSZ0904NSI • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
BSZ0904NSI Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON 8,677 1:$1.51000
10:$1.34800
25:$1.18960
100:$1.07060
250:$0.93176
500:$0.83266
1,000:$0.65423
2,500:$0.61458
BSZ0904NSI Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON 8,677 1:$1.51000
10:$1.34800
25:$1.18960
100:$1.07060
250:$0.93176
500:$0.83266
1,000:$0.65423
2,500:$0.61458
IPD60R750E6 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 5.7A TO252-3 3,786 1:$1.42000
10:$1.27400
25:$1.12440
100:$1.01200
250:$0.88080
500:$0.78708
1,000:$0.61842
IPD60R750E6 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 5.7A TO252 2,500 2,500:$0.52472
5,000:$0.49848
12,500:$0.47787
25,000:$0.46475
62,500:$0.44976
BSZ0904NSI • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道,肖特基,金属氧化物!
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 40A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 4 毫欧 @ 30A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1100pF @ 15V
功率 - 最大: 37W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-TDFN 裸露焊盘
供应商设备封装: PG-TSDSON-8(3.3x3.3)
包装: Digi-Reel®