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分离式半导体产品 IPD068P03L3 G品牌、价格、PDF参数

IPD068P03L3 G • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
IPD068P03L3 G Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3 2,500 2,500:$0.71294
5,000:$0.68653
12,500:$0.66012
25,000:$0.64692
62,500:$0.63372
IPD068P03L3 G • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 70A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 6.8 毫欧 @ 70A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 2V @ 150µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 91nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 7720pF @ 15V
功率 - 最大: 100W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装: PG-TO252-3
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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