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分离式半导体产品 SQ2361EES-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SQ2361EES-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SQ2361EES-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 2.5A SSOT23 2,465 1:$0.66000
25:$0.51000
100:$0.45000
250:$0.39000
500:$0.33000
1,000:$0.26250
SQ2361EES-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 2.5A SSOT23 0 3,000:$0.21750
6,000:$0.20250
15,000:$0.19500
30,000:$0.18750
75,000:$0.18450
150,000:$0.18000
SQ2361EES-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 2.5A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 150 毫欧 @ 2.4A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 545pF @ 30V
功率 - 最大: 2W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装: SOT-23-3（TO-236）
包装: 剪切带 (CT)
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