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分离式半导体产品 PSMN1R6-30PL,127品牌、价格、PDF参数

PSMN1R6-30PL,127 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
PSMN1R6-30PL,127 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB3 1,000 1,000:$1.22801
PSMN1R6-30PL,127 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 100A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 1.7 毫欧 @ 25A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 2.15V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 212nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 12493pF @ 12V
功率 - 最大: 306W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商设备封装: TO-220AB
包装: 管件
电脑版（www.mmic.net.cn）
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