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分离式半导体产品 BSC12DN20NS3 G品牌、价格、PDF参数

BSC12DN20NS3 G • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
BSC12DN20NS3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON 10,000 5,000:$0.67899
10,000:$0.65288
25,000:$0.63982
50,000:$0.62676
BSO201SP H Infineon Technologies MOSFET P-CH 20V 12A 8SOIC 4,220 1:$1.87000
10:$1.60400
25:$1.44400
100:$1.31030
250:$1.17656
500:$1.01612
1,000:$0.85568
BSC12DN20NS3 G • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 11.3A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 125 毫欧 @ 5.7A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 4V @ 25µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 8.7nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 680pF @ 100V
功率 - 最大: 50W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-PowerTDFN
供应商设备封装: PG-TDSON-8（5.15x6.15）
包装: 带卷 (TR)
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