NP80N055PDG-E1B-AY • 品牌、价格
| 元器件型号 |
厂商 |
描述 |
数量 |
价格 |
| NP80N055PDG-E1B-AY |
Renesas Electronics America |
MOSFET N-CH 55V 80A TO-263 |
1,000 |
1,000:$0.72750
2,000:$0.67900
5,000:$0.64505
10,000:$0.61838
25,000:$0.60140
50,000:$0.58200
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NP80N055PDG-E1B-AY • PDF参数
| 类别: |
分离式半导体产品
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| FET 型: |
MOSFET N 通道，金属氧化物
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| FET 特点: |
逻辑电平门
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| 漏极至源极电压(Vdss): |
55V
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| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: |
80A
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| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
6.6 毫欧 @ 40A，10V
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| Id 时的 Vgs(th)（最大）: |
2.5V @ 250µA
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| 闸电荷(Qg) @ Vgs: |
135nC @ 10V
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| 输入电容 (Ciss) @ Vds: |
6900pF @ 25V
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| 功率 - 最大: |
1.8W
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| 安装类型: |
表面贴装
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| 封装/外壳: |
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
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| 供应商设备封装: |
TO-263
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| 包装: |
带卷 (TR)
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