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分离式半导体产品 FDV302P_NB8V001品牌、价格、PDF参数

FDV302P_NB8V001 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
FDV302P_NB8V001 Fairchild Semiconductor MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23 9,000 3,000:$0.07800
6,000:$0.07020
15,000:$0.06240
30,000:$0.05850
75,000:$0.05187
150,000:$0.04875
FDV302P_NB8V001 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 120mA
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 10 欧姆 @ 200mA，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 0.31nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 11pF @ 10V
功率 - 最大: 350mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装: SOT-23
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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