型号

分离式半导体产品 DMN3029LFG-13品牌、价格、PDF参数

DMN3029LFG-13 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
DMN3029LFG-13 Diodes Inc MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8 3,000 3,000:$0.15500
DMN3029LFG-13 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 5.3A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 18.6 毫欧 @ 10A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 1.8V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 11.3nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 580pF @ 15V
功率 - 最大: 1W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-PowerVDFN
供应商设备封装: PowerDI3333-8
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
买卖IC网 版权所有©2006-2020