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分离式半导体产品 IPU64CN10N G品牌、价格、PDF参数

IPU64CN10N G • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
IPU64CN10N G Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 17A TO251-3 0
IPU64CN10N G • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 17A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 64 毫欧 @ 17A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 4V @ 20µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 9nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 569pF @ 50V
功率 - 最大: 44W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB
供应商设备封装: PG-TO251-3
包装: 管件
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